1998年4月于新竹开始策划设厂事宜。12月经济部核准宏捷科技股份有限公司设立登记，实收资本额5亿元。所营业务之主要内容：研究、开发、生产、测试、制造及销售GaAsHBT(砷化镓异质接面双载子电晶体)晶片。依据客户个别需求，提供电路设计图协助、晶圆制造、测试等服务项目。GaAsHBT产品制作流程如下图所示，如同Si产业一般的垂直分工架构雏型在国内也已建立。本公司定位如同台积电（TSMC）及联电（UMC）在SiIC产业中的地位，是专业的晶圆制造厂，不涉入自有产品设计及销售。自上游磊晶处购买磊晶片，依客户的的产品设计制造出GaAsHBT晶圆，再交由客户的封装厂进行晶粒封装。1999年7月第一片四寸GaAsHBT开发成功。2000年1月开发完成AlGaAs/GaAsHBT制程技术。6月开发完成InGaP/GaAs制程技术。9月开发完成BacksideVia制程技术。11月ISO-9002认证通过。2001年月开发出能成功使用于OC-192(光纤用)模组之InGaP/GaAs高速HBT元件制程技术。12月办理新产品发表会-InGaP/GaAs晶片。且ISO-14001认证通过。2002年3月获得国际IDM大厂认证通过。5月通过美国主要客户IDM大厂品质稽核。7月开始量产正式成为美国IDM大厂之代工厂。10月达到生产良率及出货目标-验证量产顺利成功。目前计划开发之新技术：A.InGaP/InGaAsNHBT元件。B.6寸HBT。C.InPHBT。
总部
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台南市; 台南市;
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